Crystal Consulting


Doktoranden von Prof. Müller

Jahr Nummer Vorname Name Thema
2006 39 Noémi Bános Implementierung eines Modells zur Simulation der Versetzungsmultiplikation bei Kristallzüchtungsprozessen
  38 GuoLi Sun Thermogravimetric Studies of Nitrogen Solutibility in Gallium Solutions and Reaction Kinetics of Gallium with Ammonia
2005 37 Patrick Berwian Experimentelle Untersuchung und Modellierung der Bildungskinetik von CuInSe2-basierten Halbleiter-Dünnschichten für die Solarzellenherstellung
  36 Alexander Molchanov Anlagenentwicklung und experimentelle Untersuchungen zur Züchtung von CaF2-Kristallen für die Mikrolithographie
2004 35 Marc Hainke Computation of Convection and Alloy Solidification with the Software Package CrysVUn
  34 Uwe Sahr Prozessentwicklung und Züchtung von versetzungsarmen, Schwefel-dotierten Indiumphosphid-Kristallen mit dem vertikalen Gradient-Freeze-Verfahren
2003 33 Andreas Weimar Untersuchungen zur Reduktion des p-seitigen Kontaktwiderstands bei GaN-basierten Halbleiterlasern
  32 Christina Hack Homoepitaxie der Verbindungshalbleiter CuInS2 und CuInSe2
  31 Bernhard Birkmann Züchtung und Charakterisierung von versetzungsarmen, Silizium-dotierten GaAs-Substratkristallen
2001 29 Andreas Mühe Über den Sauerstofftransport bei der industriellen Silicium Kristallzüchtung nach dem Czochralski Verfahren
  28 Bernd Fischer Modellierung zeitabhängiger Magnetfelder in Kristallzüchtungsanordnungen
2000 27 Michael Metzger Optimal Control of Industrial Crystal Growth Processes
  26 Bernd Eisener Über den Zusammenhang von elektronischen Eigenschaften und Eigendefekten in CuInSe2-basierten Chalkopyrithalbleitern
  25 Josef Stenzenberger Entwicklung einer industriellen Kristallzüchtungsanlage zur Herstellung von langen, semiisolierenden 4" GaAs-Kristallen nach dem vertikalen Gradient-Freeze-Verfahren
  24 Jakob Fainberg Entwicklung des Computerprogramms STHAMAS zur globalen Simulation der Kristallzüchtung nach dem Czochralski-Verfahren
1998 23 Jürgen Amon Züchtung von versetzungsarmem, Silicium-dotiertem Galliumarsenid mit dem vertikalen Gradient-Freeze-Verfahren
  22 Dietrich Wolf Technologienahe in-situ Analyse der Bildung von CuInSe2 zur Anwendung in Dünnschicht-Solarzellen
  21 Matthias Kurz Development of CrysVUN++, a Software System for Numerical Modeling and Control of Industrial Crystal Growth Processes
1996 20 Jochen Friedrich Über die Transportvorgänge bei der Schmelzzüchtung unter erhöhter Schwerkraft auf einer Zentrifuge: Ein Vergleich mit Mikrogravitation und stationären Magnetfeldern
  19 Dirk Zemke Kristallzüchtung von Indiumphosphid mit dem vertikalen Gradient-Freeze-Verfahren
1995 18 Albrecht Seidl Über den Einfluß der Tiegelrotation auf den Wärme- und Stofftransport in Halbleiterschmelzen bei Czochralski-Anordnungen
1994 17 Norbert Schäfer Zum Einfluß der Stöchiometrie bei der Kristallzüchtung von InP
  16 Frank Herrmann Untersuchungen zum tiegelfreien Zonenschmelzverfahren bei der Züchtung von GaAs unter Mikrogravitation
  15 Georg Hirt Herstellung von semiisolierendem Indium-Phosphid durch Tempern – eine Analyse des Kompensationsmechanismus
1993 14 Thomas Jung Numerische Prozesssimualtion der Kristallzüchtung nach dem vertikalen Bridgman-Verfahren
  13 Frank Mosel Kristallzüchtung von semiisolierenden Fe-dotierten InP-Kristallen mit dem Czochralski-Verfahren (LEC)
1992 12 Dieter H. Hofmann Untersuchungen zum vertikalen Bridgman-Prozeß als Herstellungsverfahren für semiisolierende InP-Kristalle
  11 Johannes Baumgartl Numerische und experimentelle Untersuchungen zur Wirkung magnetischer Felder in Kristallzüchtungsanordnungen
1991 10 Hans-Jürgen Sell Theoretische und experimentelle Untersuchungen zur Kristallzüchtung von GaInAs-Mischkristallen mit dem Verfahren der Lösungszüchtung
  9 Gerhard Träger Verteilung von Dotierstoffen in Halbleiterheterostrukturen am Beispiel von Zink-dotiertem In1-xGaxAsyP1-y Schichten auf InP
1990 8 Horst Matz Experimentelle Untersuchung der Mischungslücke im Materialsystem In(1-x)Ga(x)P(1-y)As(y)
  7 Roland Rupp Über die Herstellung von GaAs mit dem tiegelfreien Zonenschmelzverfahren unter besonderer Berücksichtigung der thermokapillaren Konvektion
1988 6 Johannes Völkl Über den Einfluss von thermisch induzierten Spannungen auf die Versetzungsentstehung bei der Kristallzüchtung von InP nach dem LEC-Verfahren
  5 Wilfried Weber Untersuchung der thermischen Auftriebskonvektion in Modellsystemen zur Kristallzüchtung bei normaler und erhöhter Schwerkraft
1986 4 Peter Kyr Gerichtetes Erstarren des InSb-NiSb-Eutektikums
  3 René A. Stein Über die Lösungszonenzüchtung von GaAs- und InP-Einkristallen und deren Charakterisierung mit besonderer Berücksichtigung der Eigendefekte in GaAs
  2 Günther Neumann Berechnung der thermischen Auftriebskonvektion in Modellsystemen zur Kristallzüchtung
1979 1 Erich Tomzig HgJ2- Einkristalle als Material für Gamma- und Röntgendetektoren